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デバイス／モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価
SiCパワー半導体のAC-BTI試験： 自社デバイスの信頼性確保や、部品選定および製品設計に必要な情報の取得をサポート
SiCパワー半導体のAC-BTI試験JEITA EDR-4713 Amend.1 附則書E、JEDEC JEP195、AQG 324規格対応
Siよりも優れた性質（高耐圧、低損失）を持つSiCを用いたパワー半導体が注目されています。一方で、SiCパワー半導体の一つであるSiC MOSFETにはSi MOSFETでは見られない固有の劣化モード（AC-BTI）があり、スイッチング動作によるACストレスによりしきい値電圧がシフトする場合があることが確認されています。
AC-BTI※試験は、SiC MOSFETのゲートにACストレスを印加し、しきい値電圧のシフト量を評価する試験です。OKIエンジニアリングは本サービスにより、自社デバイスの信頼性確保や、部品選定および製品設計に必要な情報の取得をサポートいたします。
- 国際規格に準拠した信頼性試験が可能
規格：JEITA EDR-4713 附属書E,JEDEC JEP195,AQG 324 - 自由度の高い試験が可能
48検体同時に試験が可能、温度・測定・ストレス条件なども細かく調整可能 - 短納期で再現性の高い試験サービスを提供可能
オンボードでの連続試験・自動しきい値測定が可能
自由度の高い試験が可能
- 48検体同時に試験が可能
- 温度（-40～175℃）
- 測定（Vthトリプルセンス法 他2種）
- ACストレス条件（1～500kHz、-15V～+25V、TrTf可変など）も細かく調整可能
AC-BTI試験による製品比較事例
AC-BTI試験事例を紹介します。製造メーカーが異なるSiCパワー半導体を用いて、しきい値電圧の変動量比較を行いました。製造メーカー・製品により、しきい値電圧のシフト量に差異があることを確認しました。
AC-BTI試験装置
ACストレス波形の例
しきい値電圧シフト量の比較
- SiCパワー半導体のAC-BTI試験のお問い合わせ先
- WEBからのお問い合わせ：お問い合わせフォームはこちら
電話：03-5920-2366
