SDメモリーカードの信頼性評価

• ※1：JESD219Aは、JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）によりSSDのアプリケーションクラスの耐久性評価と耐久性検証のワークロードを定義しています。当社では、テストパターンとして、シーケンシャルパターンとJESD219Aに準拠したテストパターンを用いて比較評価を実施しております。詳しい内容は、下記のお問い合わせフォームよりご相談ください。

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SDメモリーカードの信頼性評価事例

SDメモリーカード（3社、各3個）を用いて、常温エンデュランス評価、高温リテンション評価（データ保持特性）、電源瞬断耐性評価を行った。

評価試料（SDメモリーカード）の性能・寿命　仕様

項目	A社	B社	C社
用途	産業機器	産業機器	民生
Flash Type	MLC（※2）	MLC	MLC
W/R性能	4MB/s	10MB/s	10MB/s
Endurance （書換え耐久性）	3000P/E cycles	3000P/E cycles	公表無し
Data Retention （データ保持力）	公表無し	1year at end of life/100% of cycles	公表無し
電源機能	電源遮断リカバリー	公表無し	公表無し

• ※2：MLC（Multi Level Cell）

常温エンデュランス評価

試験条件

• 書込み時の周囲温度は+25℃で実施
• シーケンシャルで全域3000回書込みを実施後、JESD219Aに準拠した書込みを実施
• SDメモリーカードの全領域へ100回書込みごとにデータを読み出して期待値チェックを実施して不良の有無を確認

試験結果

• 全社ともシーケンシャル書込みでは、読出し不良は確認されなかった
• 全社ともJESD219Aに準拠した書込みで読出し不良が確認された
• エンデュランス特性 ［信頼性高い］C社 > A社 > B社［信頼性低い］

常温エンデュランス試験結果

高温リテンション評価（データ保持特性）

試験条件

• SDメモリーカード全域へ3000回を書込み後、通電無し125℃環境下で放置
• 2時間ごとに室温に戻し、期待値チェックを実施

試験結果

• A社はリフレッシュ（エラー訂正、予備セルへの書直し等）機能を有していない可能性がある
• C社は加熱当初、読出し時間が長時間化している
• リテンション特性 ［信頼性高い］B社 > C社 > A社［信頼性低い］

高温リテンション試験結果

電源瞬断耐性評価

試験条件

• SDカードへ4KBのデータを書込み中、書込み動作に同期させて、SDカードの電源に5ms幅のパルスを重畳した電源遮断パルスを印加する
• 電源遮断パルス下限レベルを徐々に下げて、誤動作する電源遮断パルスレベルを調査する

試験結果

• 3社ともメーカー保証動作電圧では正常に動作した
• 電源瞬断耐性 ［瞬断耐性高い］C社 > A社 > B社［瞬断耐性低い］

電源瞬断印加波形

電源瞬断耐性試験結果

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• デバイス／モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価
• 信頼性評価
  • AEC-Q100試験
  • AEC-Q101／200試験
  • 次世代パワー半導体の総合評価
  • SiCパワー半導体のAC-BTI試験
  • ワイドギャップ半導体の高温逆バイアス試験
  • パワー温度サイクル試験
  • ラッチアップ試験
  • 不揮発性メモリのエンデュランス／リテンション試験
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  • 不揮発性メモリの信頼性評価
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