デバイス/モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価

SDメモリーカードの信頼性評価

  • 不揮発性メモリのデータシートから読み取れない実力評価が可能
  • 不揮発性メモリの評価環境構築、試験実施から物理的不具合解析までワンストップにて対応
  • JESD219A規格(Enterprise endurance workload)(※1)に準拠したテストパターンを使用して効果的な試験が可能
  • ※1:JESD219Aは、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)によりSSDのアプリケーションクラスの耐久性評価と耐久性検証のワークロードを定義しています。当社では、テストパターンとして、シーケンシャルパターンとJESD219Aに準拠したテストパターンを用いて比較評価を実施しております。詳しい内容は、下記のお問い合わせフォームよりご相談ください。

SDメモリーカードの信頼性評価事例

SDメモリーカード(3社、各3個)を用いて、常温エンデュランス評価高温リテンション評価(データ保持特性)電源瞬断耐性評価を行った。

評価試料(SDメモリーカード)の性能・寿命 仕様

項目 A社 B社 C社
用途 産業機器 産業機器 民生
Flash Type MLC(※2) MLC MLC
W/R性能 4MB/s 10MB/s 10MB/s
Endurance
(書換え耐久性)
3000P/E cycles 3000P/E cycles 公表無し
Data Retention
(データ保持力)
公表無し 1year at end of life/100% of cycles 公表無し
電源機能 電源遮断リカバリー 公表無し 公表無し
  • ※2:MLC(Multi Level Cell)

常温エンデュランス評価

試験条件
  • 書込み時の周囲温度は+25℃で実施
  • シーケンシャルで全域3000回書込みを実施後、JESD219Aに準拠した書込みを実施
  • SDメモリーカードの全領域へ100回書込みごとにデータを読み出して期待値チェックを実施して不良の有無を確認
試験結果
  • 全社ともシーケンシャル書込みでは、読出し不良は確認されなかった
  • 全社ともJESD219Aに準拠した書込みで読出し不良が確認された
  • エンデュランス特性 [信頼性高い]C社 > A社 > B社[信頼性低い]

常温エンデュランス試験結果
常温エンデュランス試験結果

高温リテンション評価(データ保持特性)

試験条件
  • SDメモリーカード全域へ3000回を書込み後、通電無し125℃環境下で放置
  • 2時間ごとに室温に戻し、期待値チェックを実施
試験結果
  • A社はリフレッシュ(エラー訂正、予備セルへの書直し等)機能を有していない可能性がある
  • C社は加熱当初、読出し時間が長時間化している
  • リテンション特性 [信頼性高い]B社 > C社 > A社[信頼性低い]

高温リテンション試験結果
高温リテンション試験結果

電源瞬断耐性評価

試験条件
  • SDカードへ4KBのデータを書込み中、書込み動作に同期させて、SDカードの電源に5ms幅のパルスを重畳した電源遮断パルスを印加する
  • 電源遮断パルス下限レベルを徐々に下げて、誤動作する電源遮断パルスレベルを調査する
試験結果
  • 3社ともメーカー保証動作電圧では正常に動作した
  • 電源瞬断耐性 [瞬断耐性高い]C社 > A社 > B社[瞬断耐性低い]

電源瞬断印加波形
電源瞬断印加波形

電源瞬断耐性試験結果
電源瞬断耐性試験結果

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電話:03-5920-2366

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