• 半導体・電子部品の断面微細構造観察（薄膜層構造、界面状態、反応層、微細欠陥など）
• 不良部位の詳細評価（クラック起点、界面剥離、ボイド周辺、電極／配線周辺の異常など）
• 異物・析出物・反応生成物の同定支援（TEM／STEM-EDS（EDX）による元素推定、点分析／マッピング）
• 比較評価（試作比較、工程変更前後、ロット差、熱処理・洗浄・めっき条件差など）

• 観察＋元素分析をワンストップで実施（TEM／STEM像とEDS（EDX）結果を組み合わせて解釈）
• nm〜Åオーダーの情報取得により、界面・薄膜・ナノ欠陥を高感度に評価
• 半導体断面に強い解析設計（狙い位置抽出〜薄片化〜観察まで一貫対応）
• 自社FIBによる薄片作製に対応し、狙い部位の局所解析・短納期化に貢献
• 経験豊富な専門スタッフが課題ヒアリング⇒解析提案⇒データ解釈まで一貫サポート

• TEM像：薄膜層構造、界面、反応層、析出物、欠陥などの観察
• STEM像：界面近傍や微小構造の観察、コントラスト差による構造判別
• EDS（EDX）による点分析／マッピング：元素の推定、層間の元素分布、偏析・拡散の確認
  例：反応層の組成差、異物の元素推定、界面近傍の偏析評価 など

• 薬品による開封（封止除去・開封）：パッケージ内部や実装部の観察に向けた開封処理
• FIB加工（自社設備）：狙い位置の断面作製、局所薄片作製（TEM試料）、微細部の加工に対応

• 故障解析（不良解析）：
  非破壊検査やSEMで異常箇所を絞り込み、開封・断面加工→FIB薄片化→TEM／STEM・EDSという段階的アプローチで原因推定を支援します。再発防止に向けた根拠データ取得に貢献します。
• 構造解析・設計比較：
  工程条件差や設計差による、界面反応・拡散・層構造変化をTEM／STEMで比較し、課題抽出と改善検討を支援します。
• 材料開発・品質保証：
  薄膜材料・電極材料・めっき／拡散バリア等の評価、量産工程の品質管理、不良の傾向分析に対応。社内外への説明に耐える根拠整理を支援します。

ご依頼の流れ

1：お問い合わせ
お問い合わせフォームから、ご依頼内容、サンプル情報、実施希望時期等についてお知らせください。

2：お問い合わせへのご回答とヒアリング・お見積り
OKIエンジニアリングの担当者より、お問い合わせ、ご依頼の詳細をヒアリングさせていただきます。ヒアリング中に解析内容のご確認、解析の可否、その他ご要望等を確認し、お見積りと納期を確認の上、ご連絡いたします。

3：ご依頼の発注と解析サンプルの送付
お客様より、ご依頼の注文書を送付いただきます。注文書受領後に、解析作業を開始します。解析サンプルの送付先は、OKIエンジニアリングの担当者よりご連絡します。

4：解析作業開始
ご依頼の解析を実施します。解析途中での中間報告のご対応も可能です。解析結果により、追加の解析や内容の変更をご提案する場合があります。

5：解析結果のご報告
解析結果を報告書にまとめ、お客様へ送付します。結果についてのご不明点や、ご質問などがあった際は、お気軽にご質問ください。

6：お支払い処理と解析サンプルのご返却
お客様にて報告内容のご確認後に、OKIエンジニアリングより解析サンプルと請求書・受領書・納品書を送付します。お支払い処理のご対応をお願いいたします。