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解析(故障/良品)・観察・分析

良品解析

部品の状態や欠陥の観察から、将来故障に至る危険性を推定するのが[良品解析]です。IC/LSI、LED、パワーデバイス、MEMSなどの電子部品、太陽電池、電子機器などの各種分野の部品、機器を対象としております。解析で得られた結果から製造工程上の課題抽出、品質の比較調査や様々な規格に対する合否判定を実施いたします。
また、対象製品の工程変更、材料変更、製造工場の変更、製造工場の追加、在庫品や保管品の品質確認、真贋判定や廉価部品への変更、サイレントチェンジの確認、量産後の定点観測などの多岐に渡る用途での品質確認にご利用いただけます。

良品解析の手法とその対象 DPA(破壊的物理解析) LSIプロセス診断
良品解析の手法とその対象

良品構造解析・LSIプロセス診断

良品構造解析・LSIプロセス診断とは、一歩進んでより高い信頼性を確保するために、電気的特性上は良品と判定されるデバイスの潜在的欠陥の有無を調査することです。半導体の開封(デキャップ)調査観察・分析非破壊観察X線透視解析等を行い潜在的な不具合を改善するアプローチを通じ、不具合の発生を未然に防ぎ、品質改善のためのテクニカルアドバイスを行います。

  • 潜在欠陥の検出力を高めた合理的な解析メニューを提供
  • 故障に繁がる原因の除去による本質的な改善に利用可能
  • 評価試験・スクリーニングの基礎情報の収得も可能

良品解析例

簡易型良品解析
試験内容
LSI全体を広く簡易に評価
使用目的
全体的に大きな問題を抱えていないかの確認、信頼性試験前後での変動調査などを目的として実施
必要サンプル数
5~10個程度
解析期間
約1ヶ月
ウエハプロセス良品解析
試験内容
LSIチップに着目
使用目的
LSIチップの製造工場変更や工程変更が行われた場合に実施
必要サンプル数
5~10個程度
解析期間
約1.5ヶ月
アセンブリ工程良品解析
試験内容
パッケージ・ワイヤに着目
使用目的
パッケージやワイヤー材の変更等があった場合に実施
必要サンプル数
5~10個程度
解析期間
約1ヶ月
フルスペック良品解析(LSIプロセス診断)
試験内容
LSI全体を広く詳細に解析し評価
使用目的
これから長期にわたって自社製品にICやLSIを採用予定。詳細に評価し、全ての潜在欠陥の検出。
必要サンプル数
15~20個程度
解析期間
約2.5ヶ月

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良品解析例における検査実施項目

良品解析検査項目 簡易型
良品解析
ウエハプロセス
良品解析
アセンブリ工程
良品解析
フルスペック良品解析
(LSIプロセス診断)
外観検査 -
X線検査 -
超音波探査 -
内部検査 -
チップ外観検査 -
クレータリング検査 - -
パッケージ断面検査 - -
界層解析/エッチバック解析 - -
SEM検査 -
TEM検査 - -
総合診断

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良品解析例

  • 光学顕微鏡にてワイヤボンドの剥がれを観察
    光学顕微鏡にてワイヤボンドの剥がれを観察
  • 超音波探査にて検出された欠陥観察事例
    超音波探査にて検出された欠陥観察事例
  • 14nmデバイスTEM観察事例
    14nmデバイスTEM観察事例
  • SiC MOSFET平面TEM 結晶欠陥観察事例
    SiC MOSFET平面TEM 結晶欠陥観察事例
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