ESD試験: ESD事故を防止、管理するために、各種ESD(静電気放電)耐性を確認、評価する試験です。
ESD試験とはESD事故を防止、管理するために、各種ESD(静電気放電)耐性を確認、評価する試験です。
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002では、相対湿度30%未満の低湿度環境下でのCDM試験が要求されています。
表1.ESD試験規格
試験方法 | 準拠規格 | 主な試験条件 | |||
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日本 | 米国 | ||||
一般 | 車載 | ||||
人体モデル HBM:Human Body Model |
ED4701/302A 試験方法304A | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(2023) | AEC-Q100-002-Rev-E(2013) | 放電容量=100pF、放電抵抗=1.5kΩ パルス印加数:両極各1回 試料数:3個×試験電圧×印加組合せ |
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マシンモデル MM:Machine Model |
ED4701/302 で削除 | JESD22-A115C(2010)JEP172(2014)により失効 | AEC-Q100-003-Rev-E(2003), AEC-Q100-Rev-H-Base Document(2014)により失効 |
放電容量=200pF、放電抵抗=0Ω パルス印加数:両極各1回又は3回 試料数:3個×試験電圧×印加組合せ |
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デバイス帯電モデル Charged Device Model |
誘電帯電法 Field Induced CDM |
ED4701/302A 試験方法305D | ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(2022) | AEC-Q100-011Rev-D(2019) | 放電容量、放電抵抗;デバイス個別 パルス印加数:両極各1回又は3回 試験周囲温度:室温 試料数:3個×印加電圧 |
直接帯電法 Direct CDM |
- | -(AEC-Q100-011-Rev-DではDirect CDMを削除) |
HBM(最大8kV)、MM(最大2kV)、SCM(最大8kV)各モデルのESD試験を実施します。
マニピュレータとマニュアルESD試験装置を組み合わせ、チップ(Wafer)ESD試験を実施します。
高電圧電源を使用し、マニュアルCDM試験環境を構築し10kVまでの試験が可能です。
8kV対応HBM試験 | |||
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設備名 | 型名 | 製造者 | 主な仕様 |
高電圧HBM/MM/SCM試験装置 | HED-S5256A | 阪和電子工業株式会社 | 最大印加電圧: HBM:±8kV , MM:±2kV , SCM:±8kV 10V step 電圧精度:±(1%+5V) 試験ピン数:256 印加回数:1~99回 |
チップ(Wafer)ESD試験 | |||
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設備名 | 型名 | 製造者 | 主な仕様 |
ESD試験装置 | HCE-5000 | 阪和電子工業株式会社 | 最大印加電圧:HBM ±10kV, MM ±2kV step 10V 電圧精度:±(1%+5V) 印加ピン数:Pin to Pin 印加回数:1~999 |
モジュールのCDM試験 | |||
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設備名 | 型名 | 製造者 | 主な仕様 |
モジュールのCDM試験装置 | Model812 | ets社製 | 最大印加電圧:±10kV
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