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現在位置:Home > サービス一覧 > デバイスの電気的特性測定・評価、信頼性評価 > 測定技術支援 > GaN、SiCの高低温測定


サービス一覧

GaN、SiCの高低温測定

近年、半導体業界では高温動作・高速制御可能な電力変換器の為のパワーデバイスが製造されています。これからの高電力化社会のため、シリコンカーバイド(SiC)、ガリウムナイトライド(GaN)などのスーパーマテリアルが注目され、実用化と量産が具体化される中、SiCやGaNを開発、製品へ実用化し、より高い品質保証を付加価値とすることが必要とされています。当社では、経験豊富な技術者によるSiCやGaNの高低温測定の実績を生かし、250℃までの高温測定が可能です。また副次的なメリットとして、自社内の工数を費やすことなく結果を得ることができ、タイムカットにつながります。サンプルのご提出で試験のコンサルティングから結果のフィードバックまでを行います。詳細につきまして は、お気軽にお問い合わせください。


  • 順方向電流の電気的特性

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【お問い合わせ先】

  • デバイス評価事業部
    • 電話:03-5920-2366 ファックス:03-5920-2306

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