PowerMOS-FETの測定
WTS-700 PowerMOS-FET測定事例
PowerMOS-FETのRDS(ON)測定例 1
(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
下記でご紹介する事例は、PowerMOS-FETのRDS(ON)測定で規格表の測定条件の内、測定パルス幅を長くすると、抵抗値の上昇があるか、という例です。一般的にMOS-FET等のパワー系デバイスでは、電力による温度上昇が測定値に影響を与えることを嫌うため、短いパルス幅、周期での測定が行われています。たとえば、パルス幅300μS以下、デューティー比2％以下等です。ところが、実際の特性規格では、IDSの最大値は「DC」で保障されています。そのため、本当に「DC」で使用したときにRDS(ON)は上昇しないのか、心配です。 「DC」で使用時のRDS(ON)上昇について、不安を解消するために、WTS700での測定が有効になります。
| 【特性規格】 | ||
|---|---|---|
| 試料 | IRL2703 | |
| 特性規格 | 12A、VGS=4.5 のとき RDS（ON）時max 60mΩ 但し、パルス幅＜300μs;duty cycle<2% |
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POWER MOS FETのRDS(ON)測定例 2
- 評価は規格表通りでいいですか？
- 規格表では、パワー系の測定に、短いパルス幅と低いデューティ比を用いて測定することになっています。これは、以前カーブトレーサーを用いたための制約です。
- もっと実際に近い長いパルス幅、高いデューティ比で測定・評価してみませんか？
この例ではドレインーソース間のオン抵抗を、周期２秒を固定し、パルス幅をどんどん広げて行き、 長パルス幅、高デューティでの測定を行っています。明らかに抵抗値が増大していっています。
WTS-700を使用すれば、こんな希望通りのハイパワー測定が可能です。特に、最大DC１KW（３６V/28A）の測定は、お客様の強力な味方になります。
VGS=10V IDS=12A､ 周期 約3秒 自然放熱
ON時間(ゲートパルス幅) 1ms～1s(1,2,5ステップ)
【お問い合わせ先】
- デバイス評価事業部
- 電話：03-5920-2366 ファックス：03-5920-2306
