デバイス/モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価

パワーデバイスの電気特性(静特性測定): 本半導体テストサービスを通じて、部品選定および製品設計に必要な情報の取得をサポート

パワーデバイスの電気特性(静特性測定)New

半導体テストの一環として、トランジスタやダイオードなどの各種半導体デバイスの電気特性測定サービスを提供しています。温度環境試験システム(サーモストリーマ)と組み合わせることで、室温だけでなく低温から高温までの幅広い温度環境下での測定が可能です。
OKIエンジニアリングでは、本半導体テストサービスを通じて、部品選定および製品設計に必要な情報の取得をサポートいたします。

使用装置

機器

SiCパワーMOSFETの静特性測定事例

SiC MOSFETの代表的な静特性を測定した例を紹介します。
グラフは、上記装置を用いて各項目を評価した結果です。


伝達特性(ID-VGS


出力特性(ID-VDS


ゲート漏れ電流(IGSS


ドレイン・ソース間降伏電圧(V(BR)DSS


静電容量特性(C-V)

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