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PowerMOS-FETの測定

PowerMOS-FETの測定

パワーデバイスアナライザー・カーブトレーサーB1505AとN1265Aとの組み合わせによるPower MOS FET測定事例

数10A~数100Aの大電流を扱うパワーデバイスの静特性測定では、自己発熱の影響を最小化する必要があります。自己発熱の影響を抑えるには、通電時間を短くしたパルス測定を活用することが有効ですが、測定対象デバイスをヒートシンクに装着し、発熱を速やかに逃がすことも正確な測定には欠かせません。OKIエンジニアリングでは、排熱処理を含めた測定系を構築し、正確なパワーデバイスの測定結果を提供いたします。

ヒートシンクに装着し、パルス幅100usecでPowerMOS-FETを測定した事例

下記の例は、ヒートシンクに装着しパルス幅100usecでPowerMOS-FETを測定した例です。
g=5Vの飽和領域の特性において、高電圧側が下がらず、発熱の影響を抑えられていることが分かります。

tf測定回路

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