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技術論文

沖エンジニアリング株式会社信頼性設計事業部長福田保裕
信頼性設計事業部長福田保裕

受賞名: 第31回EOS/ESDシンポジウムでフレンドシップ賞を受賞(PDFファイル 175KB)
受賞者: 沖エンジニアリング株式会社信頼性設計事業部長　福田保裕、信頼性設計事業部　山田朋美、阪和電子工業株式会社　澤田真典
論文名: TLP 測定によるESD パラメータ抽出(PDFファイル 390KB)
論文内容: 沖エンジニアリング株式会社、信頼性設計事業部長：福田保裕は日本で開催されました「2008年RCJ信頼性シンポジウム」で最優秀論文賞を受賞。その後、アメリカで開催されました世界大会、第31回EOS/ESDシンポジウムでフレンドシップ賞を受賞。受賞論文は「TLP測定によるESDパラメータ抽出」で近年研究、実践されてきたTLP（Transmission Line Pulsing Method）測定により抽出されるESDパラメータからのESD保護設計手法における、ESDパラメータ抽出法について検討したものです。

信頼性技術事業部　清水写真
構造解析グループ清水亙

シンポジウム名: 35th International Symposium for Testing and Failure Analysis
開催地: 米国カリフォルニア州サンノゼ
発表テーマ: 『Evaluation Trial of MEMS Devices by LSI Process Diagnostics』 (PDFファイル 821KB)
論文内容: 近年、新たなデバイスとしてMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の需要が急速に拡大しています。MEMSの製造には、フォトリソグラフィをはじめとした半導体集積回路の製造技術が使用されている例が多くみられます。しかし解析に関しては，MEMSデバイス特有の機械的構造や故障モードにより、従来の半導体デバイスの構造解析手法をそのまま活用していくのは困難です。また、MEMSデバイスの急速な普及に対して信頼性評価技術の確立については対応が遅れているため、信頼性を評価する有効な手法の確立が急務となっています。そこで、MEMSデバイスに対してLSIプロセス診断を適用した構造評価を行い、解析途上において、MEMSデバイス特有の様々な解析上の問題点が浮上したことから、サンプリング技術や観察技術、解析フロー、信頼性上の着眼点等について検討を行いました。

信頼性技術事業部　久保田写真
構造解析グループ久保田英久

シンポジウム名: 2009　第19回　RCJ信頼性シンポジウム
会場: 大田区産業プラザ（東京、蒲田）
発表テーマ: 『MEMSデバイスの構造評価システム』(PDFファイル 13.4MB)
論文内容: MEMSデバイスの構造評価システムの概要、3軸加速度センサの評価結果例および、2軸加速度センサの評価結果例をもとに、LSIプロセス診断を再構築し、MEMSデバイスに適用する構造評価システムは、MEMSデバイスの評価アプローチとして有望であることが検証できました。さらに構造の異なるデバイスについてそれぞれの構造に応じた検査ポイント、試料作製技術、欠陥判定基準の構築が必要であると検討を行いました。

信頼性技術事業部　村原写真
構造解析グループ村原大介

シンポジウム名: 第39回　信頼性・保全性シンポジウム
会場: 日本教育会館（東京・千代田区一ツ橋）　B会場（第二会議室）8F（805～806）
発表テーマ: 『LSIプロセス診断法によるMEMSデバイスの評価試行』 (PDFファイル 925KB)
論文内容: LSIプロセス診断法は，電気的に良品であるデバイスについて内部構造を詳細に観察し、故障の要因となり得るデバイス内部の不具合や構造のばらつき等から、将来そのデバイスが故障に至る危険性を推測する良品解析手法であり、MIL規格で示されているDPA　(Destructive Physical Analysis)の概念をウェハプロセスに拡張したものであります。我々は、このLSIプロセス診断法をもとに、MEMSデバイスのプロセス診断システムを新たに構築することを目指し、MEMSデバイスに対してLSIプロセス診断を適用した構造評価を行いました。また解析途上において、MEMSデバイス特有の様々な解析上の問題点が浮上したことから、サンプリング技術や観察技術，解析フロー、信頼性上の着眼点等について検討を行いました。