高耐圧デバイスの測定（IGBT）
電子機器の高機能化に伴い、スイッチング用パワーデバイスは、ハイパワー化、高効率化の傾向にあります。当社では独自の測定系を開発・設計し、パワーデバイスを含め、お客様の様々な測定ニーズにお応えしております。また、IGBTの高温高湿バイアス試験、熱衝撃試験等の各種信頼性試験にも対応しております。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）のtf（fall time）測定事例
ここでは、IGBT（VCE=600V,Ic=30A）のtf測定事例につきましてご紹介いたします。tfの測定回路を図1に、ターンオフ・スイッチング波形を図2に示します。tfはIc=27A（90%）からIc=3A（10％）までの時間を計測します。図2の拡大波形のように、ハイパワーデバイスの高効率特性を示すtfを正確に測定することができます。図3は高温動作試験における通電回路図です。高温動作試験では、数十アンペアの電流をON/OFF印加する試験を実施しました。当社では、試験作業のみの実施にとどまらず、信頼性試験と測定を組み合わせた総合的な評価をワンストップで提供することが可能です。
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