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IGBT測定

高耐圧デバイスの測定(IGBT)

電子機器の高機能化に伴い、スイッチング用パワーデバイスは、ハイパワー化、高効率化の傾向にあります。OKIエンジニアリングでは独自の測定系を開発・設計し、IGBTの高温高湿バイアス試験、熱衝撃試験等の各種信頼性試験に対応しております。その他のSiCやGaNなどのパワーデバイスに対しても、お客様の様々な測定ニーズにお応えしております。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)のtf(fall time)測定事例

IGBT(VCE=600V,Ic=30A)のtf測定事例です。tfの測定回路を図1に、ターンオフ・スイッチング波形を図2に示します。tfはIc=27A(90%)からIc=3A(10%)までの時間を計測します。OKIエンジニアリングでは、図2の拡大波形のように、ハイパワーデバイスの高効率特性を示すtfを正確に測定することが可能です。

図1 tf測定回路
図1 tf測定回路

図2 ターンオフスイッチング波形
図2 ターンオフスイッチング波形

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